Автомат световых эффектов и Пульсирующее сердце

метки: Автомат, Эффект, Светов, Экран, Эффективность, Сигнал, Электрический, Площадь

В данной курсовой работе необходимо спроектировать прибор «Автомат световых эффектов и Пульсирующее сердце».

Разработать комплект конструкторской документации на него. Необходимо провести расчет тепловых режимов данной РЭА для обеспечения работы изделия в нормальных условиях, используя только естественную вентиляцию, а также выполнить расчет электромагнитных помех и сделать расчет электромагнитного экрана находящегося вокруг устройства. Таким образом, нужно доказать правильность выбранной конструкции.

1. Назначение и принцп действия устройства В данном курсовом проекте объектом конструирования является «Автомат световых эффектов и Пульсирующее сердце».

Устройство представляет собой автомат для имитации светового эффекта «пульсирующее сердце» с помощью специального светового табло. Автомат световых эффектов управляет свечением табло и создает эффект «рождения», а затем «биения сердца».

Сфера применения — конструкция может стать хорошим подарком или украшением помещения.

Автомат световых эффектов состоит из трех отдельных узлов — управления, питания и светодиодного табло (на схеме каждый узел выделен штрихпунктирной линией).

После подачи питающего напряжения счетчик DD2 и триггеры DD3, DD5 устанавливаются в нулевое состояние импульсом высокого уровня, формируемым цепью R2C2.

На элементах DD1.1, DD1.2 собран генератор тактовых импульсов с частотой примерно 6…7 Гц, которые поступают на счетный вход С двоичного реверсивного счетчика DD2.

Направлением счета микросхемы DD2 управляет узел, собранный на элементах DD1.3, DD1.4 и четвертом RSтриггере микросхемы DD5 (входы R4, S4).

В момент, когда на выходах 0 или 4 дешифратора DD4 появляется высокий уровень, логический элемент ИЛИ (DD1.3 и DD1.4) устанавливает четвертый RSтриггер микросхемы DD5 в единичное состояние. На входе U микросхемы DD2 действует управляющий сигнал высокого уровня, переключающий сигнал высокого уровня, переключающий счетчик на работу в режиме сложение. В случае, если счетчик уже находится в том режиме, то направление счета останется неизменным. Когда сигнал высокого уровня появляется на выходе 7 дешифратора DD4, четвертый RSтриггер микросхемы DD5 устанавливается в нулевое состояние и на вход U счетчика DD2 поступает сигнал низкого уровня, который переключает его в режим вычитания.

Дешифратор DD4 преобразует двоичный код счетчика DD2 в десятичный — формирует на одном из своих выходов сигнал высокого уровня.

Абстрактный синтез конечного автомата

... В этом отношении теория автоматов оказалось наиболее развитой ветвью теории алгоритмов. Общая теория автоматов подразделяется на абстрактную теорию и структурную теорию автоматов. Абстрактная теория автоматов занимает промежуточное ... 0,93675 Y4 = 0,19747 Для получения значений входных и выходных сигналов автомата необходимо полученные десятичные дроби преобразовать в двоичный код до шестнадцатого ...

печатный плата емкостный электромагнитный

2. Выбор и обоснование метода производства печатной платы В соответствии с ГОСТом (ГОСТ 23 751−86) конструирование ПП следует осуществлять с учетом следующих методов изготовления:

• a) химического, для односторонних ПП и гибких печатных кабелей;
• b) комбинированного позитивного, для двухсторонних ПП и гибких ПП;
• c) электрохимического (полуаддитивного) для двухсторонних ПП;
• d) металлизация сквозных отверстий для многослойных ПП.

Проанализировав схему электрическую принципиальную мы можем сделать вывод, что для производства печатной платы данной конструкции, целесообразней всего использовать химический метод. Это объясняется тем, что количество деталей в схеме среднее, печатная плата имеет, не большие размеры и она будет односторонней. Условия эксплуатации устройства нормальные, т. е. данная РЭА не будет эксплуатироваться в экстремальных условиях под воздействием различных факторов, разрушительно влияющих на ее надежное функционирование. Считается что, применение данной РЭА будет осуществляться при обычных температурных режимах.

Таким образом, данная РЭА относится к типу бытовой аппаратуры. Следовательно особой прочности при изготовлении печатной платы можно не добиваться, что позволяет использовать более ускоренный метод — субстрактивный. Также для данной РЭА не требуется металлизация отверстий для повышенной надежности пайки деталей печатной платы. Печатную плату можно изготовить из фольгированного материала СФ-1−35 — стеклотекстолита. Фольгированный гетинакс уступает стеклотекстолиту как по физико-механическим так и по электрическим свойствам.

3. Описание метода производства печатной платы изделия Химический метод или метод травления фольгированного диэлектрика.

Метод заключается в том, что на медную фольгу, прикрепленную к диэлектрику наносят позитивный рисунок, схему проводников. С последующим травлением удаляется металл с незащищенных участков и на диэлектрике получается требуемая электрическая схема. Наиболее распространенными вариантами этого метода является фотохимический и сеточно-химический (фотопечать и трафаретная печать).

Основными этапами получения проводников является

a) Подготовка поверхности

b) Нанесение слоя фоторезиста

c) Экспонирование

d) Проявление схемы

e) Травление фольги

f) Удаление фоторезиста Подготовка поверхности фольги выполняют вращающимися латунными или капроновыми щетками. В результате получаем шероховатую поверхность 2,5−1,25 микрона. Кроме этого проводят химическую очистку в щелочных растворах с промывкой в дистиллированной воде.

Нанесение слоя фоторезиста осуществляют на поверхность фольги и производят его сушку в течение 15−20 мин при t 65С.

Экспонирование осуществляют с помощью фотошаблона с негативным изображением схемы в вакуумной светокопировальной ванне для высвечивания.

Проявление схемы состоит в вымывании растворимых участков фоторезиста, находящихся под темными местами негатива. Для негативныхфоторезистов проявителем являются спиртовые смеси. Время проявления 2−3 мин. Полученный защитный слой можно подвергать химическому зиблению в растворе ангидрида и тепловому дублению в термостате при t 60С в течение 40−60 мин.

Конструирование изолятора электрического патрона с помощью инженерной ...

... целью курсовой работы является приобретение знаний в области инженерной и компьютерной графики, научится выполнять конструкторскую документацию и осознать функциональных возможностей графических систем. 1. Теоретическая часть, .1 Общие правила выполнение электрических принципиальных схем Электрическая ...

Травление представляет собой процесс удаления слоя металла для получения нужного рисунка схемы. Процесс травления включает в себя предварительную очистку, собственно травление, очистку после травления и удаление фоторезиста.

Механическая обработка платы заключается в штамповании или фрезеровании по контуру и получение отверстий. Для удаления пыли и грязи плату отдувают сжатым воздухом.

Химические методы при сравнительно простом техническом процессе обеспечивают высокую прочность сцепления проводников с основой (2 мП), равномерную толщину проводников и их высокую электропроводность. Время химических воздействий на плату в процессе изготовления составляет примерно 25 мин. Недостатком химических методов является низкая прочность в местах установки выводов, т.к. отверстие не металлизируется.

4. Расчет электромагнитных помех Для того, чтобы определить общую длину участка двух параллельных проводников, при которой еще не возникает емкостная и взаимоиндуктивная наводки, нужно на чертеже деталировки печатной платы выбрать участок длиной 1 см и более, на котором находится пара параллельных печатных проводников, имеющие общий участок l, на котором они располагаются параллельно друг другу на расстоянии d.

Рисунок 1 — Фрагмент рисунка печатной платы

Ниже приведены характеристики выбранного участка:

• l = 0,08 м — общая длина параллельных проводников;
• d= 0,004 м — расстояние между выбранными проводниками;

a= 4 * 10 ^-5 м — толщина проводников;

b= 1 * 10 ^-3 м — ширина проводников

4.1 Расчет емкостных помех Чтобы определить какую методику применить для вычисления помехи или их совместного действия нужно определить тип электрического соединения. Все электрические соединения можно условно разделить на электрически длинные и электрически короткие. Электрическую длину линии определяют из соотношения задержки сигнала в линии t _л и длительностью фронта импульса _ф .

Если t _л >0,1>_ф , то линия считается электрически длинной, если t_л <0,1<_ф , то линия считается электрически короткой.

Время фронта _ф =T/4, где Т =1/,

Т=1/25 000=0,4 с => _ф = 0,1 с =>0,1*_ф =0,1 c.

Время распространения сигнала по данной линии можно определить по формуле:

; (1)

где l — длина линии

l=0.08 м ,= 2,6 *10 ^-10 с. Отсюда видно, что t_л < 0.1_ф. Следовательно, данный фрагмент проводника печатной платы является электрически короткой линией связи.

Определим степень влияния паразитной ёмкостной связи. Паразитную емкость между двумя проводниками, расположенных с одной стороны, или с разных сторон печатной платы, можно определить по формуле:

(2)

• длина общего участка (см),

С ₀ -удельная ёмкость линии, зависящая от ширины проводников и их взаимного расположения (пФ/см),

Е — это диэлектрическая проницаемость среды, заполняющей пространство между проводниками.

Из рисунка 1 видно, что часть линий электрического поля проходит через воздух, а часть через печатную плату, поэтому в формулу нужно подставлять среднее арифметическое значение диэлектрической проницаемости воздуха и стеклотекстолита.

Реферат воздушно кабельные линии

... названия профилактических испытаний (ПИ). Таблица 2 Испытательное выпрямленное напряжение для кабельных линий Напряжение линии, кВ Испытательное напряжение, кВ, для кабелей С бумажной изоляцией С ... стекания пропиточного состава; высыхания изоляции из-за тяжелого теплового режима работы кабельных линий. Испытания повышенным напряжением являются разрушающими, так как при приложении испытательного ...

Рисунок 2 — Зависимость эквивалентной емкости Со от параметров проводников Найдём d/b=0,004/0,001=4. Из рисунка 2 видно, что это значение соответствует значению удельной ёмкости С ₀ =0,02 пФ.

=(1+5)/2=3. (3)

=0,02*0,08*3=0,0048 пФ.

Найдём реактивное сопротивление по формуле.

?0,0013 Ом. (4)

Получив значение реактивного сопротивления можно сделать вывод, что паразитная ёмкость не вносит значительных искажений в наш сигнал. Но чтобы окончательно удостовериться в том, что емкостная связь не влияет на работу схемы, воспользуемся формулой для определения предельной длины общего участка короткой линии связи:

• (5)

Здесь К _п — коэффициент помехоустойчивости;

• атолщина дорожки;
• dширина дорожки;
• b — расстояние между ними.

Коэффициент помехоустойчивости определяется по формуле:

(6)

К _п =0,1.470 КОм. Тогда :

=3,15 м.

Очевидно, что при общей длине участка короткой линии связи =1 cм. Ёмкостные помехи возникают.

4.2 Расчет взаимоиндуктивной помехи Рассмотрим индуктивную связь между параллельными дорожками.

Паразитную взаимоиндукцию можно определить по формуле:

(7)

L1 и L2 — индуктивности рассматриваемых проводников. Индуктивность проводника можно определить по формуле:

(8)

d — расстояние между осями проводников.

r = радиус сечения проводников.

d = 4 мм, r = 15 мкм = 15*10 ^-6 м. для меди составляет 1,3 (25, https:// ).

Находим =2,3 мкГн. L1 = L2 = 2,3 мГн.

Определим величину паразитной взаимоиндукции мкГн. Для того, чтобы определить степень влияния паразитной взаимоиндукции, необходимо найти .

= + 0,1*=1,1*. (9)

Для обеспечения устойчивой работы диодного моста, необходимо чтобы выполнялось условие

(10)

=>

• ==1.1*0,1*470=0,517 Гн.

Очевидно, что 0,115 мкГн > 0,517 Гн и паразитная взаимоиндукция влияет на функционирование диодного моста и всей схемы.

4.3 Расчет длины участка при емкостной и взаимоиндуктивной наводках

При емкостной и взаимоиндуктивной наводках , ёмкостная наводка изменяет потенциал всей линии связи, а индуктивная создаёт разность потенциалов между входом и выходом линии. Прямой способ нахождения суммарной помехи сложен. Достаточно хорошо приближенное решение может быть найдено путём нахождения lc и lm (допустимой длины общего участка связи) для каждой составляющей помехи. Полагая, что амплитуда помехи пропорциональна длине провода, можно определить допустимую длину общего участка двух сигнальных цепей связи по формуле:

(13)

где: — длина при которой ещё не сказывается взаимоиндуктивная помеха;

l ===0.8м

• длина при которой ещё не сказывается емкостная помеха.

=3,15 м.

Найдем общую допустимую длину проводников по (13):

Т.к. 0.08м < 0,68 м то, на данном участке ПП емкостные и взаимоиндуктивные помехи не оказывают особого влияния на функционирование элементов.

Измерение напряженности электромагнитного поля и помех

Измерение напряженности электромагнитного поля Напряженность поля необходимо измерять для определения диаграмм направленности антенн, дальности действия радиостанций и ретрансляторов, наличия паразитных излучений, качества экранирования устройств и других характеристик, определяющих качество радиосвязи, телевидения, радиовещания ...

5. Расчет электромагнитного экрана Электромагнитные экраны предназначаются для локализации в некотором объёме пространства полей, создаваемых излучателями электромагнитной энергии с целью ослабления или исключения воздействия излучателей на чувствительные элементы РЭА и аппаратуры в целом. В зависимости от назначения различают экраны с внутренним возбуждением электромагнитного поля, в которые обычно помещается источник помех, и экраны внешнего электромагнитного поля, во внутренней полости которых помещаются чувствительные к этим полям устройства. В первом случае экран предназначен для локализации поля в некотором объёме, во втором — для защиты от воздействия внешнего поля.

Для оценки функциональных качеств экрана могут быть использованы различные характеристики. Наиболее обобщенной является эффективность экранирования. Под этим понимают отношение действующих значений напряженности электрического поля Е ₁ (магнитного поля Н₁ ) в данной точке при отсутствии экрана и напряженности электрического поля Е₂ (магнитного поля Н₂ ) в той же точке при наличии экрана

(14)

Здесь эффективность выражается в относительных единицах (разах).

На практике её обычно представляют в логарифмических единицах — децибелах (дБ)

• (15)

Кроме этого существует коэффициент экранирования, который изменяется от 1 до 0, показывая максимальный эффект экранирования.

При необходимости оценить общую эффективность экранирования исходя из допустимой величины ЭДС помехи, наводимой в цепях РЭА, пользуются эквивалентной действующей высотой устройства:

(16)

где: U _н — действующее значение ЭДС помехи, наводимой на элементы, расположенные внутри экрана, [В];

Е ₁ — действующее значение напряженности внешнего поля, [В/м].

Учитывая, что ЭДС помехи пропорциональна напряженности поля внутри экрана, находим:

• (17)

Второй характеристикой качества экрана является мера его воздействия на параметры экранируемых элементов, определяемая количественно коэффициентами реакции экрана. Относительные изменения параметров экранируемых элементов можно учесть с помощью коэффициентов:

(18)

где: — значение i-го параметра j-го экранируемого элемента при наличии экрана;

• значение первичного i-го параметра j-го элемента при отсутствии экрана. Каждый из коэффициентов является коэффициентом реакции экрана на i-й параметр j-го элемента.

Поскольку, основной характеристикой экрана является его эффективность, методика инженерного расчета должна исходить из зависимостей этой характеристики от длины волны, модуля волнового сопротивления диэлектрика Z относительно длины волны, материала экрана, от параметров, которые определяют геометрические размеры экрана и качество конструкции. Получить такие зависимости только теоретически очень сложно. Поэтому обычно прибегают к обработке экспериментальных данных и построению на этой основе формул для расчета эффективности экранирования в широком диапазоне частот. Наиболее удобным как для построения самой расчетной формулы, так и для её использования является выражение эффективности экранирования произведением ряда сомножителей, каждый из которых определяет влияние одного из факторов или одной группы близких факторов. В результате получим выражение:

(19)

где: — глубина проникновения, [м];

• удельное сопротивление материала экрана, [Омм];
• волновое сопротивление электрического (магнитного) поля;
• эквивалентный радиус экрана, [м];
• a — расстояние между центрами отверстий и щелей в экране, возникших из-за несовершенства его конструкции и технологии изготовления, [м];
• m — наибольший размер отверстия (щели) в экране, [м];
• d — толщина материала экрана, [м].

Очевидно, что m > 0, a и m — случайные величины. Анализ показал, что среднее значение сомножителя для обычного техпроцесса и высокого качества монтажа близко к 0,024. Поэтому выражение (19) можно представить в виде:

• (20)

Эта формула является наиболее общей и полностью характеризует процесс электромагнитного экранирования реальных экранов.

Основным фактором экранирования в реальных конструкциях РЭА является отражение электромагнитной волны от поверхности экрана из-за различия его поверхностного сопротивления и волнового сопротивления поля, определяемого как

Формула (20) применима для широкого диапазона длин волн, пока. При m множитель резко уменьшается и эффективность экранирования становится незначительной. Этот множитель определяет эффективность экрана, обусловленную его геометричностью.

Для дальнейших расчетов необходимо выбрать тип экрана и материал, из которого в дальнейшем будет изготовлен экран.

Выберем для данного устройства экран, представляющий собой пластмассовый герметический корпус из листового винипласта толщиной 2 мм. Экран одновременно является корпусом устройства. В этом случае, имеем электрически тонкий материал тогда, выражение (20) примет вид:

(21)

За толщину экрана принимаем толщину нанесенного слоя экран, т. е. толщину листового винипласта d = 2 мм.

Зададим геометрические размеры и параметры экрана:

• b = 0.55 м — длина экрана;
• l = 0.55 м — ширина экрана;
• h = 0.12 м — высота экрана;
• d = 0,002 м — толщина материала экрана.

Листовому винипласту присущи следующие параметры:

• глубина проникновения = 7*10 ^-4 м

= 2*10 ⁷ Ом*м — удельное сопротивление материала экрана.

Z ₀ = 0,028 — удельное волновое сопротивление электрического поля

• эквивалентный радиус экрана, [м]= 0.205м,

==0.205

m — щели экрана = 0,005 м. ,

• длина волны электромагнитного поля, [м]= 3*10 ³ м

• волновое сопротивление электрического поля[Гн/м];

(22)

=65.24 Гн/м При данных геометрических параметрах экрана найдем эффективности экранирования формулой (21):

= 3,925 * 0,1 * 65,24 *24,45 * (-4096) = 0,4*1200*(-4096)*2,5?0

Данная величина показывает, что эффективность экранирования деталей данного устройства от внешней среды достаточно велика и, следовательно, внешние помехи, которые могут отрицательно повлиять на функционирование устройства, не будут оказывать на него сильного воздействия.

6. Тепловой расчет При компоновке модулей большое значение имеет обеспечение нормального теплового режима их работы. Это достигается рассеиванием теплоты во внешнюю среду и регулированием теплообмена между элементами и узлами РЭА. Для данной конструкции наиболее приемлемым является воздушное охлаждение, так как оно обеспечивает надёжность, удобство в эксплуатации и ремонте. При данном способе охлаждения часть тепловой энергии рассеивается и тепловым излучением.

Спроектируем корпус для данной РЭА с расположенной внутри печатной платой с деталями. Размеры печатной платы: Ширина = 5,5 см. Длина = 5,5 см. Тогда размеры корпуса примем: Высота h — 1,2 cм .

Рис 3. Вид корпуса и нагретой зоны Существенное влияние на процесс теплообмена внутри корпуса оказывает сама конструкция корпуса. Существуют герметичные, вентилируемые, и снабженные специальным теплообменником. Для охлаждения выберем перфорированный корпус с отверстиями прямоугольной формы, расположенные по бокам корпуса, с размерами 0,5*2 см. Число отверстий с каждой стороны- 5. Т. о мы будем иметь воздушное охлаждение внутри корпуса. Воздушные — такие системы охлаждения, в которых в качестве теплоносителя используется воздух. Они разделяются на: естественно и принудительно вентилируемые.

Рассчитаем площадь данных отверстий — площадь входных отверстий равна площади выходных и Fвх=Fвых=10*0,005*0,02=5*10 ^-4 м²

Вычисление искомых (температуры нагретой зоны) и (температуры корпуса) сводим к вычислению следующих выражений:

(23)

Искомые величины и вычисляем следующим образом:

• перегрев нагретой зоны. (24)
• перегрев корпуса.

Неизвестныеи находим из следующей системы уравнений:

(25)

Решение этой системы сводится к нахождению следующих неизвестных величин.

1. — площадь лучеиспускания,

гдеприведённая высота нагретой зоны, которая определяется из следующего соотношения:

где h — высота корпуса, а — коэффициент заполнения корпуса, который находится из соотношения:

• суммарный объём всех деталей , — объём корпуса.

=0,058*0,083*0,031=14,9234 *10 ^-5 м³ .

Объём деталей берём из таблицы 2: =3,45 215*10 ^-5 м³ . И теперь можно вычислить:

Кзап= 0,2313

Найдём приведённая высота нагретой зоны: hз=2 313*0.031=0,71 703

Теперь найдём площадь лучеиспускания:

Sзл=2*0,058*0,083+2*0,71 703*(5,8+8,3)=0,21 183 046

2. Определим — суммарную площадь всех элементов по таблице 2: =0,8 452 м ² .

В системе уравнений присутствует величина W — тепловая проводимость между внутренним воздухом в аппарате и наружным воздухом за аппаратом. W определяется выражением:

где — удельная теплоёмкость воздуха (среды) и в диапазоне температуры между -20С — +60С практически не зависит от температуры и равна 10 ³ Дж/(кг*град).

-массовый расход охлаждающего воздуха через аппарат при сухом воздухе и нормальном давлении определяется из соотношения:

h — среднее расстояние между входными и выходными отверстиями в корпусе, а R определяется из соотношения :

(26)

• площадь поверхности корпуса = 0,1 392 м ² .

• площадь поперечного сечения аппарата без деталей. = 0,0037 м ² .

Подставив найденные величины для нахождения R, получаем R = 8*10 ⁶ м^-4 . Следующая найденная величина = 1,36*10^-4 . Искомая величина W= 0,136.

Все искомые величины системы найдены, подставив их в систему, получим:

Fзс=3,8386[град/Ватт]

Fкс=1,8490[град/Ватт]

Найдём перегрев нагретой зоны и нагрев корпуса РЭА. Исходя из того, что значение мощности P = 1 Ватт.

Vз=3,8386*1=3,8386- перегрев нагретой зоны.

Vк=1,8490*=1,8490-перегрев корпуса.

Теперь можно вычислить температуру нагретой зоны и температуру корпуса.

tз=20+3,8=23,8С

tк=20+1,8=21,8С В таблице 1 приведены значения максимально допустимых температур для элементов.

Как показывают полученные результаты, схема работает в нормальном тепловом режиме. Предельные значения температур элементов, находящихся в нагретой зоне больше температуры нагретой зоны tз=23,8С

Заключение

В данной курсовой работе разработан комплект конструкторской документации на изделие «Автомат световых эффектов и Пульсирующее сердце».

Курсовой проект содержит:

• Краткое описание назначения и принципа работы изделия
• Выбор и обоснование метода производства ПП
• Описание метода производства ПП
• Расчет электромагнитных помех в цепях изделия, индуктивная и емкостная составляющая, которых, не вносит значительного влияния в функционирование устройства.

— Расчет электромагнитного экрана изделия. Для данного устройства выбран экран, представляющий собой пластмассовый герметический корпус из листового винипласта толщиной 2 мм. Эффективность экранирования деталей данного устройства от внешней среды достаточно велика и, следовательно, внешние помехи, которые могут отрицательно повлиять на функционирование устройства, не оказывают на него сильного воздействия.

• Расчет теплового режима работы аппарата, в котором температура корпуса 21,8[град]. Эти параметры соответствуют классу данного устройства и детали, используемые в нем, работают в допустимых температурных режимах.

О.И. Вакарь, А. Ю. Долгов «Методические указания к курсовому проектированию» (по курсу «Конструкторско-технологические основы проектирования ЭВМ»), Тирасполь *РИО ПГУ* 2001.

«Справочник по транзисторам» Енкевич С. Г 1990 г.

«Справочник по усилителям малой мощности» Добрынин А. Ф Москва 1987 г.

«Справочник по полупроводниковым приборам» — М. Энергия, 1976 г.

«Справочники по полупроводниковым приборам, конденсаторам, резисторам, усилителям в электронном виде»

Приложение 1

Таблица 1 «Максимально допустимые температуры для элементов»

Резисторы МЛТ-0,25	70 0 C
Резисторы С5−16	80 0 C
Резисторы СП5−16В	60 0 C
Стабилитрон КС510	80 0 C
Транзисторы КТ3117А	70 0 C
Транзисторы КТ313Б	70 0 C
Транзисторы КТ827А	80 0 C
Транзисторы КТ825А	80 0 C
Конденсаторы К50−24	70 0 C
Конденсаторы керамические	85 0 C

Приложение 2

Поз. обозн.	Наименование	Кол.	Примечание
	Резисторы
R1, R5	10 кОм 5%
R2, R6, R8	1 кОм 5%
R3	39 кОм 5%
R4	3,3 кОм 5%
R7	22 кОм 5%
R9, R10	100 кОм 5%
R11	330 Ом 5%
R12	680 Ом 5%
	Конденсаторы
С1	1… 75%
С2, C6, C11	1805%
C3, C4	1000 5%
C5	1,5 5%
С7, C10	3,3 5%
С8	10 5%
С12	50 мкФ * 10В
С13, C14, C15	0,01 мкФ 5%
С16	200 мкФ * 25В
	Катушки

Приложение 3

Приложение 4

Таблица 1

Обозначение	Диаметр отверстия	Диаметр контактной площадки	Количество отверстий
Р	0,9	3,5
		;

ГОСТ 23 752–79

Шаг координатной сетки 2,5 мм Ширина проводника 1,7 мм. Расстояние между проводниками, контактными площадками, проводником и контактной площадкой не менее 1 мм.

Плату после сборки покрыть эмалью ЭП-572 ТУ 6−10−1539−78.

Приложение 5

* Размеры для справок Установку элементов проводить по ГОСТ 4 .010.030−81

ГОСТ 21 931– —

ИТ Маркировать

Остальные ТТ по ГОСТ 4 .ГО.070.015

ГОСТ 20 874–75 111 314

Таблица 1

Формат	Зона	Поз.	Обозначение	Наименование	Кол.
				Документация
А4			220 100.04.990 102 ПЗ	Пояснительная записка
А4			220 100.04.990 102 РТ	Расчетные таблицы
А4			220 100.04.990 102 ЭЗ	Схема электрическая принципиальная
А4			220 100.04.990 102 ПЭ	Перечень элементов
А4			220 100.04.990 102 КП	Корпус (эскиз)
А4			220 100.04.990 102 ПП	Печатная плата
А4			220 100.04.990 102 СБ	Сборочный чертеж
А4			220 100.04.990 102 СП	Спецификация
				Резисторы
			R1	МЛТ 4,7 кОм 5%
		53, 59	R2, R5	МЛТ 75 кОм 5%
		55, 1	R3, R4	МЛТ 2.7 кОм 5%
		54, 2	R6, R7	МЛТ 12 Ом 5%
		3, 50	R8, R9	СП5−16 В 2.2 кОм 5%
			R10	МЛТ 3,6 кОм 5%
		47, 9	R11, R13	МЛТ 240 Ом 5%
		45, 12	R12, R14	МЛТ 91 Ом 5%
		46, 10	R15, R17	МЛТ 9.1 кОм 5%
		15, 42	R16, R18	МЛТ 620 кОм 5%
			R19	МЛТ 39 Ом 5%
		38, 19	R20, R22	МЛТ 1.5 кОм 5%
		39, 18	R21, R23	МЛТ 68 Ом 5%
		33, 23	R24, R25	МЛТ 510 Ом 5%
		32, 24	R26, R28	МЛТ 2.4 кОм 5%
		30, 27	R27, R29	МЛТ 3 кОм 5%
		31, 26	R30, R31	С5−16 МЛТ 0.15кОм 5%
			R32	МЛТ 13 Ом 5%
				Конденсаторы
			С1	К73−17 1 мкФ 5%
			С2	К10−17 Н50 470 нФ 5%
			C3	К10−17 Н50 1500 нФ 5%
			C4	К73−17 1 мкФ 5%
			С5	К50−24 470 мкФ 5%
		49, 6	С6, С7	К73−17 4,7 мкФ 5%
		37, 21	С8, С9	К10−17 Н50 33 нФ 5%
			С10	К10−17 Н50 10 нФ 5%
			С11	К73−17 0,047 мкФ 5%
				Транзисторы
		52,7,11,40,36,34	VT1, VT5, VT6, VT7, VT9, VT13	КТ3117A
		4,42,44,17,20,22	VT2 — VT4, VT8, VT10, VT14	КТ313Б
				Стабилитроны
			VD1	КС510